招商安本(中国老区经济开发基金)

前不久，IBM发布了2nm技能道路，让人倍感振作。尽管摩尔定律速度放缓，但硅晶片微缩的远景仍然宽广。

不过，2nm之后便是1.5nm、1nm，硅片触及物理极限。

日前，台大、台积电和麻省理工一起发布研究成果，首度提出使用半金属Bi作为二维资料的触摸电极。它能够大幅降言过其实电阻并进步电流，使其效能比美硅资料，有助于半导体职业应对未来1纳米代代的应战。

论文中写道，现在硅基半导体现已推进到5nm和3nm，单位面积包容的晶体管数量迫临硅资料物理极限，效能无法逐年明显提高。此前，二维资料被业界寄予厚望，却一直掣肘于高电阻、低电流等问题。

此次三方协作中，麻省理工是半金属铋电极发现者，台积电将铋(Bi)堆积制程进行优化，台大团队运用氦离子束微影体系(Helium-ionbeamlipography)将元件通道成功缩小至纳米尺度，总算功德圆满，耗时长达一年半的时刻。

4月下旬的时分台积电更新了其制程工艺道路图，称其4纳米工艺芯片将在2021年末进入“危险出产”阶段，并于2022年完成量产；3纳米产品估计在2022年下半年投产，2纳米工艺正在开发中。