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萨塞克斯大学的物理学家现已开宣布一种极薄的大面积太赫兹半导体外表源，它只由几个原子层组成，能够与现有的电子渠道兼容。

研讨于上一年12月21日宣布在《物理谈论快报》上，标题为“All-OpticalTwo-ColorTerahertzEmissionfromQuasi-2DNonlinearSurfaces”(准二维非线性外表的全光双色太赫兹辐射)，通讯作者为苏塞克斯大学物理与地理学系应急光子学实验室的J.S。ToteroGongora。

太赫兹波在电磁光谱中介于微波和红外线之间，是研讨和工业中备受追捧的一种辐射方式。它们有一种天然的才能，能够经过像X射线相同容易地穿透纸张、衣服和塑料等一般资料来提醒物体的物质组成，但不会形成损伤。

太赫兹辐射源以每秒万亿次的速度宣布时间短的光脉冲，这种频率太高，规范电子设备无法处理对光学设备来说则过慢了点。

但是，太赫兹辐射关于300GHz以上的超快通讯设备具有重大意义，比方6G手机技能等，因此是个有必要霸占的难关。

在最新研讨中，研讨人员完成了迄今为止最亮和最薄的外表太赫兹半导体源，这种半导体源的发射区比曾经薄了10倍，并且功能适当，乃至更好。如此薄层，完全能够放置在常见物品上，比方茶壶之类的日常用品，以及艺术品，翻开物联、防伪技能的新世界大门。